ក្រុមហ៊ុនបច្ចេកវិទ្យាយក្សរបស់កូរ៉េខាងត្បូង Samsung បានប្រកាសថាពួកគេកំពុងចាប់ផ្ដើមជាលក្ខណៈទ្រង់ទ្រាយធំក្នុងដំណើរការផលិតបន្ទះឈីបទំហំ ៣ ណាណូម៉ែត្រជំនាន់ទីមួយរបស់ខ្លួន។ដំណើរការផលិតនេះដែរគឺបានពឹងផ្អែកទៅលើគម្រូស្ថាបត្យកម្ម GAA(Gate-All-Around) ដែលជាជំហានមួយទៀតបន្ទាប់ពីគម្រូស្ថាបត្យកម្ម FinFET ។
ធៀបទៅនឹងបន្ទះឈីប ៥ ណាណូម៉ែត្រ បន្ទះឈីបថ្មី ៣ ណាណូម៉ែត្ររបស់ Samsung ជំនាន់ដំបូងនេះអាចបង្កើនល្បឿនដំណើរការបានខ្លាំងជាងរហូតដល់ទៅ ២៣ ភាគរយ ជាមួយនិងការប្រើប្រាស់ថាមពលតិចជាងដល់ទៅ ៤៥ ភាគរយ និងកាត់បន្ថយទំហំលំហនៅលើឧបករណ៍បាន ១៦ ភាគរយ។
បន្ថែមពីនោះ Samsung បានអះអាងផងដែរថាសម្រាប់ជំនាន់ទី ២ នៃបន្ទះឈីប ៣ ណាណូម៉ែត្ររបស់ខ្លួនវិញនឹងកាន់តែគួរឲ្យចាប់អារម្មណ៍ទ្វេរដងបើធៀបនឹងបន្ទះឈីប ៥ ណាណូម៉ែត្រ ដោយពួកគេបង្ហើបថាវានឹងប្រើថាមពលតិចជាងរហូតដល់ទៅ ៥០ ភាគរយ ហើយផ្ដល់មកវិញនូវល្បឿនដំណើរការលឿនជាងដល់ទៅ ៣០ ភាគរយ និងកាត់បន្ថយផ្ទៃលំហ(ទំហំ)បាន ៣៥ ភាគរយ
គួរឲ្យដឹងផងដែរថាពេលនេះ Samsung បាននាំមុខទៅលើក្រុមហ៊ុនតែវ៉ាន់ TSMC នៅក្នុងដំណើរការនៃសង្វាក់ផលិតកម្មបន្ទះឈីបទំហំ ៣ ណាណូម៉ែត្រនេះ ដោយក្រុមហ៊ុន TSMC ត្រូវបានរំពឹងថានឹងចាប់ផ្ដើមដំណើរការផលិតឈីបទំហំ ៣ ណាណូម៉ែត្រនេះដែរនាឆមាសទី ២ នៃឆ្នាំនេះ។
ប្រភព ៖ GSMArena
